Samsung розробила модулі пам'яті DDR5 ємністю 512 ГБ і пропускною здатністю до 7200 Мбіт/с
Такі модулі призначені для використання в системах обробки задач штучного інтелекту, машинного навчання, гіпермасштабних вирахунків та інших робочих навантажень з великим об'ємом даних
Нові модулі пам'яті DDR5 розроблені на основі технології HKMG (High-K Metal Gate), яка дозволяє модулям використовувати на 13 % менше енергії. Ця технологія передбачає використання діелектриків з високим значенням діелектричної константи та металізованого затвора. На такому ж принципі виготовлені модулі відеопам'яті GDDR6.
В порівнянні з модулями DDR4 продуктивність роботи модулів DDR5 збільшиться у два рази. Швидкість передачі даних для кожного контакту складе 7200 Мбіт/с. Кожний модуль включає 40 чіпів пам'яті DRAM.
Компанія вже почала тестувати новинку і планує завершити тестування до того часу, коли на ринку з'являться серверні системи з підтримкою пам'яті DDR5.
Коментувати