- Onewheel Pint
- Гироскутеры
- Future Motion
- Onewheel GT
- Huawei
- 4G
- 5G
- SingleBAND
- Мобильная связь
- Программное обеспечение
- Apple
- macOS
- macOS Monterey
- Intel Core i5-12600K
- Intel Intel Core i5-12600K
- Intel
- Процессоры
- Helo Infinite
- Игры
- AMD
- 343 Industries
- Apple M1 Max
- M1 Max
- Смартфоны
- Tensor
- Google Pixel 6
- Google Pixel 6 Pro
- AirPods
- AirPods 3
- AirPods Pro
- Apple AirPods
- Наушники
- Беспроводные наушники
- TWS-наушники
- Виртуальная реальность
- Vive Flow
- HTS
- VR
- VR-гарнитуры
- OnePlus 9RT
- One Plus Buds Z2
- OnePlus
- Oppo
- Комплектующие
- Samsung 980 PRO
- Samsung
- Samsung 980
- Amazfit
- Amazfit GTR 3
Samsung розробила модулі пам'яті DDR5 ємністю 512 ГБ і пропускною здатністю до 7200 Мбіт/с
25.03.2021 14:29
Такі модулі призначені для використання в системах обробки задач штучного інтелекту, машинного навчання, гіпермасштабних вирахунків та інших робочих навантажень з великим об'ємом даних
Нові модулі пам'яті DDR5 розроблені на основі технології HKMG (High-K Metal Gate), яка дозволяє модулям використовувати на 13 % менше енергії. Ця технологія передбачає використання діелектриків з високим значенням діелектричної константи та металізованого затвора. На такому ж принципі виготовлені модулі відеопам'яті GDDR6.
В порівнянні з модулями DDR4 продуктивність роботи модулів DDR5 збільшиться у два рази. Швидкість передачі даних для кожного контакту складе 7200 Мбіт/с. Кожний модуль включає 40 чіпів пам'яті DRAM.
Компанія вже почала тестувати новинку і планує завершити тестування до того часу, коли на ринку з'являться серверні системи з підтримкою пам'яті DDR5.
Коментувати